รายละเอียดโครงการวิจัย รหัสโครงการ : MRG4880018 ชื่อโครงการ : ผลของการเติมไนโตรเจนต่อสมบัติเชิงแสงและสมบัติเชิงโครงสร้างของอัลลอยกึ่งตัวนำแกลเลียมอาร์เซไนด์ (ไนไตรด์) ที่ปลูกผลึกโดยวิธีเมทอล-ออแกนิกเวปเปอร์เฟสเอพิแทกซี Effects of Nitrogen Addition on Optical and Structural Properties of GaAs(N) Alloy Semiconductors Grown by Metal-organic Vapor Phase Epitaxy หัวหน้าโครงการ : สกุลธรรม เสนาะพิมพ์ : [งานวิจัยที่เกี่ยวข้อง (4 โครงการ) ] ทีมวิจัย : สกุลธรรม เสนาะพิมพ์ หัวหน้าโครงการ ขจรยศ อยู่ดี นักวิจัยที่ปรึกษา เคนทาโร โอนาเบะ นักวิจัยที่ปรึกษา วันที่เริ่มโครงการ : 1 มิ.ย. 2548 วัตถุประสงค์ : 1. ศึกษาโครงสร้างผลึกพื้นฐานของฟิล์มบาง GaAsN ที่ปลูกผลึกลงบนวัสดุฐานรอง (substrate) GaAs ที่มีระนาบผลึก (001) ด้วยวิธี Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) 2. หาปริมาณ N ที่เจือในฟิล์มบาง GaAsN โดยใช้ การเลี้ยวเบนของรังสีเอกซ์ (X-ray diffraction) 3. ศึกษาลักษณะความบกพร่องเชิงโครงสร้างในระดับไมโคร (micro-structural defects) ที่เกิดขึ้นในฟิล์มบาง GaAsN ที่เกิดขึ้นเนื่องจากการเติม N โดยใช้กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนชนิดส่องผ่าน (Transmission Electron Microscopy, TEM) 4. ตรวจสอบสมบัติเชิงแสงของฟิล์มบาง GaAsN โดยวิธี photoluminescence (PL) และวิธี optical absorption 5. ศึกษาผลของการเติม N ต่อกระบวนการแปล่งแสงของฟิล์มบาง GaAsN 6. วิเคราะห์ความสัมพันธ์ของความเข้มข้นของ N ที่เจือในฟิล์มบาง GaAsN กับช่องว่างแถบพลังงานและค่าคงที่แลตทิซ ของอัลลอยกึ่งตัวนำ GaAsN สถิติการเปิดชม : 1,010 ครั้ง ดาวน์โหลด : 64 ครั้้ง แจ้งปัญหาการดาวน์โหลดที่นี่ (* หากไม่สามารถดาวน์โหลดได้) รายงานวิจัย ฉบับสมบูรณ์: รายงานวิจัยฉบับสมบูรณ์ (Full Paper) บทคัดย่อ (Abstract) : แสดงบทคัดย่อ เลือกดาวน์โหลดแบบลิงค์ :
