รายละเอียดโครงการวิจัย รหัสโครงการ : MRG5480151 ชื่อโครงการ : การวิเคราะห์สมบัติเชิงโครงสร้างของสารกึ่งตัวนำผสมแบบไร้สภาพขั้วทางไฟฟ้าของธาตุหมู่สาม-ไนไตรด์ ที่ปลูกบนวัสดุฐานรองแกลเลียมอาร์เซไนด์ โดย MOVPE Structural Analysis of non-polar group III-Nitrides grown on GaAs substrates by MOVPE หัวหน้าโครงการ : พรรณี แสงแก้ว : [งานวิจัยที่เกี่ยวข้อง (2 โครงการ) ] ทีมวิจัย : พรรณี แสงแก้ว หัวหน้าโครงการ สกุลธรรม เสนาะพิมพ์ นักวิจัยที่ปรึกษา วันที่เริ่มโครงการ : 15 มิ.ย. 2554 วัตถุประสงค์ : 1. ศึกษาโครงสร้างผลึกพื้นฐานวัสดุสารกึ่งตัวนำผสมของธาตุหมู่สาม-ไนไตรด์ (Group III- Nitrides) คือ แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) และ อลูมิเนียมแกลเลียมไนไตรด์ (AlGaN) ที่ปลูกผลึกบนวัสดุฐานรองแกลเลียมอาร์เซไนด์ (GaAs) ด้วยวิธี Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) 2. ตรวจสอบสมบัติทางฟิสิกส์ เช่น ทางแสง ทางอิเล็กทรอนิกส์ ของวัสดุสารกึ่งตัวนำผสมธาตุหมู่สาม-ไนไตรด์ ของแกลเลียมไนไตรด์และอลูมิเนียมแกลเลียมไนไตรด์ 3. ตรวจสอบและวิเคราะห์ถึงอิทธิพลของอัตราส่วนผสมของอลูมิเนียม (Al content) ต่อความบกพร่องเชิงโครงสร้างในระดับไมโครและนาโน (micro-nano-structural defects) ที่เกิดขึ้น 4. ตรวจสอบและวิเคราะห์อิทธิพลของอัตราส่วนผสมของอลูมิเนียม (Al content) ที่มีต่อพารามิเตอร์ของวัสดุ (material parameters) ของวัสดุสารกึ่งตัวนำผสมของธาตุหมู่สาม-ไนไตรด์ เช่น สภาพความเค้นความเครียดของผลึกฟิล์มบาง ขนาดโครงสร้างผลึก และค่าช่องว่างแถบพลังงาน เป็นต้น 5. วิเคราะห์ความสัมพันธ์ระหว่างพารามิเตอร์ของวัสดุแต่ละชนิดเพื่อใช้ในการกำหนดคุณสมบัติสำหรับการประยุกต์ใช้ต่อไป สถิติการเปิดชม : 531 ครั้ง ดาวน์โหลด : 24 ครั้้ง แจ้งปัญหาการดาวน์โหลดที่นี่ (* หากไม่สามารถดาวน์โหลดได้) รายงานวิจัย ฉบับสมบูรณ์: รายงานวิจัยฉบับสมบูรณ์ (Full Paper) บทคัดย่อ (Abstract) : แสดงบทคัดย่อ เลือกดาวน์โหลดแบบลิงค์ :
