รายละเอียดโครงการวิจัย รหัสโครงการ : PDF4380020 ชื่อโครงการ : การปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุลอินเดียมแกลเลียมฟอสไฟด์บนผลึกฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์ โดยใช้แหล่งกำเนิดฟอสฟอรัสจากการแยกสารประกอบแกลเลียมฟอสไฟด์   Molecular Beam Epitaxy Growth of In0.48Ga0.52P on GaAs Substrates using GaP Decomposition Cell as a P2 Source หัวหน้าโครงการ : สุวัฒน์ โสภิตพันธ์ ทีมวิจัย : สุวัฒน์ โสภิตพันธ์ หัวหน้าโครงการ สมศักดิ์ ปัญญาแก้ว นักวิจัยที่ปรึกษา วันที่เริ่มโครงการ : 1 ก.ค. 2543 วัตถุประสงค์ : 1.เพื่อการศึกษาเงื่อนไขที่เหมาะสมเพื่อใช้สำหรับการปลูกชั้นผลึก In0.48Ga0.52P บนผลึกฐาน GaAs ระนาบ (100) ด้วยวิธีการปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุลที่ใช้ผลึก GaP เป็นแหล่งจ่ายฟอสฟอรัส 2.เพื่อศึกษาอิทธิพลของความหนาชั้นผลึกอิพิแทกซีของ In0.48Ga0.52P ที่มีต่อค สถิติการเปิดชม : 869 ครั้ง ดาวน์โหลด : 26 ครั้้ง   แจ้งปัญหาการดาวน์โหลดที่นี่ (* หากไม่สามารถดาวน์โหลดได้) รายงานวิจัย ฉบับสมบูรณ์: รายงานวิจัยฉบับสมบูรณ์ (Full Paper) บทคัดย่อ (Abstract) : แสดงบทคัดย่อ เลือกดาวน์โหลดแบบลิงค์ :