รายละเอียดโครงการวิจัย รหัสโครงการ : RMU5080049 ชื่อโครงการ : การพัฒนาวัสดุไจแอนต์ไดอิเล็กตริกเซรามิกสำหรับประยุกต์ใช้ทางด้านสิ่งประดิษฐ์อิเล็กโทรนิก   Development of Giant Dielectric for Electronic Device Applications หัวหน้าโครงการ : สันติ แม้นศิริ : [งานวิจัยที่เกี่ยวข้อง (4 โครงการ) ] ทีมวิจัย : สันติ แม้นศิริ หัวหน้าโครงการ วันที่เริ่มโครงการ : 25 มิ.ย. 2550 วัตถุประสงค์ : 1 เพื่อศึกษาการเตรียมวัสดุอนุภาคนาโนของ CCTO และ LTNO ที่เตรียมด้วยวิธีแบบใหม่อย่างง่ายและเตรียมวัสดุ CCTO-LTNO นาโนคอมโพสิต 2 เพื่อศึกษาพฤติกรรมการเผาผนึกและโครงสร้างทางจุลภาคของวัสดุที่เตรียมได้ 3 เพื่อศึกษาสมบัติทางไดอิเล็กตริกของวัสดุที่เตรียมได้ 4 เพื่อศึกษาอิทธิพลของ heat treatment, อิทธิพลของความเค้น, และอิทธิพลวัสดุเสริมที่มีต่อสมบัติทางไดอิเล็กตริกของวัสดุ CCTO, LTNO และเปรียบเทียบกับวัสดุ CCTO-LTNO นาโนคอมโพสิต 5 เพื่ออธิบายสาเหตุหรือจุดเริ่มต้นของการมีค่าคงที่ไดอิเล็กตริกที่สูงมากในวัสดุกลุ่ม CCTO, LTNO และ CCTO-LTNO นาโนคอมโพสิต สถิติการเปิดชม : 887 ครั้ง ดาวน์โหลด : 99 ครั้้ง   แจ้งปัญหาการดาวน์โหลดที่นี่ (* หากไม่สามารถดาวน์โหลดได้) รายงานวิจัย ฉบับสมบูรณ์: รายงานวิจัยฉบับสมบูรณ์ (Full Paper) บทคัดย่อ (Abstract) : แสดงบทคัดย่อ เลือกดาวน์โหลดแบบลิงค์ :