Development of Highly Sensitive Top-Down Fabricated Indium Oxide Nanoribbon Field Effect Transistor Biosensor Chips with Integrated the On-Chip Gate for Early Disease Diagnosis and Prognosis
หัวหน้าโครงการ
:
นพดล อรุณยะเดช
ทีมวิจัย
:
นพดล อรุณยะเดช
หัวหน้าโครงการ
อดิสร เตือนตรานนท์
นักวิจัยที่ปรึกษา
วันที่เริ่มโครงการ
:
16 พ.ค. 2559
วัตถุประสงค์
:
2.1 To develop the top-down In2O3 nanoribbon FET biosensor platform in Thailand and to optimize its electrical and sensing performance for early diagnosis and prognosis
2.2 To study utilization of an integrated on-chip gate electrode to replace the external Ag/AgCl electrode for tuning the operational point of nanoribbon FET biosensors to move forward toward the POCT platform and the practical utilization
2.3 To investigate the optimal surface chemistry to immobilize capture probe molecules on the surface of In2O3 nanoribbons to minimize corrosion of In2O3 nanoribbons during functionalization and to lower fabrication cost
2.4 To enhance sensitivity of the In2O3 nanoribbon FET biosensor platform integrated with the electronic ELISA technique by changing the substrate during the device fabrication process and optimal surface chemistry
